Нуриддинов, Б. З., К. Т. Довранов, and А. К. Ташатов. “ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПЛЕНКИ SiO2 НА ПОВЕРХНОСТИ Si ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ”. CENTRAL ASIAN JOURNAL OF MATHEMATICAL THEORY AND COMPUTER SCIENCES 4, no. 2 (February 10, 2023): 50–55. Accessed August 5, 2026. https://cajmtcs.casjournal.org/index.php/CAJMTCS/article/view/376.