НУРИДДИНОВ, Б. З. .; ДОВРАНОВ, К. Т. .; ТАШАТОВ, А. К. . ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПЛЕНКИ SiO2 НА ПОВЕРХНОСТИ Si ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ. CENTRAL ASIAN JOURNAL OF MATHEMATICAL THEORY AND COMPUTER SCIENCES, [S. l.], v. 4, n. 2, p. 50–55, 2023. DOI: 10.17605/OSF.IO/RCX4Y. Disponível em: https://cajmtcs.casjournal.org/index.php/CAJMTCS/article/view/376. Acesso em: 5 aug. 2026.